瑞萨电子（RENESAS）是全球十大半导体芯片供应商之一，也是高级半导体解决方案的首选供应商。产品包括微控制器、SoC解决方案和广泛的模拟及电源器件。其业务覆盖了面向各种应用的研究、开发、设计和生产。瑞萨电子先后收购Intersil，IDT，dialog等品牌，进一步巩固了其作为先进嵌入式系统全球领先供应商的地位。 瑞萨电子（RENESAS）的发展历程可以追溯到日本三巨头，NEC于2002年11月成立了NEC Electronics;2003年4月，日立和三菱电机成立了瑞萨科技公司（Renesas Technology Company）。在完成了对前株式会社瑞萨科技与NEC电子公司的业务整合工作后，新成立的瑞萨电子株式会社（以下简称瑞萨电子；TSE：6723）于2010年4月1日宣布公司正式启动商业运营。品 牌 官 网：https://www.renesas.cn/主要产品：一、微控制器和微处理器1.采用 Arm@ Cortex@-M 内核的 RA系列 32位 MCU 2.RZ 64 位和 32 位 MPU3.RL78 低功耗 8 位和 16 位 MCU 4.RX 系列 32 位高功效 MCU5.RISC-V 32 位与 64 位 MCU 和 MPU 6.RH850 车用MCU7.Renesas Synergym 平台 MCU 8.Reality AI软件二、模拟产品1.放大器2.音频和视频3.数据转换器4.电力线通信(PLC)5.开关和多路复用器三、汽车产品1.汽车光电耦合器2.RL78 低功耗 16 位车用 MCU3.RH850车用MCU4.R-Car汽车片上系统 (SOC)5.汽车时序6.车载无线电源7.汽车电池管理系统8.汽车功率器件9.车用电源管理10.车用传感器11.车用视频与显示三、时钟和时序1.应用特定型时钟2.时钟分配3.时钟产生4.晶体振荡器5.带频率转换的抖动衰减器6.VersaClock@ 可编程时钟四、接口与有线连接1.双线总线缓冲器2.AS-接口产品3.BACnet 与 LON 工业协议4.触控驱动器5.工业以太网6.IO-Link 线驱动程序7.Logic Level Signal Translators8.存储器接口产品9.光学互连-数据通信10.OpticalInterconnect General11.光学互连- 电信12.PCI Express 解决方案13.Photocouplers / Optocouplers14.物理层产品15.电力线通信(PLC)16.RS-485、RS-422和 RS-23217.Serial RapidIO@ 解决方案18.信号完整性产品19.Telecom Datacom Products20.电信接口产品21.USB Switches & Hubs22.VME五、储存器和逻辑器件1.总线交换机2.EHB(嵌入式主桥)3.FIFO 产品4.存储器接口产品5.多端口存储器6.Network Search Engine7.非易失性存储器8.SRAM9.标准逻辑六、电源管理1.AC/DC 与隔离式 DC/DC 转换器2.电池管理3.计算电源(VRM/IMVP)4.DC/DC转换器5.直流/直流电源模块6.数学电源7.离散式功率器件8.FET 和电机驱动器9.LED 背光驱动器10.线性稳压器(LDO)11.电机控制集成电路12.多通道电源管理集成电路(PMIC)13.后备电源14.固态照明15.UsB Type-C、USB 功率传输及快速充电产品16.电压基准源17.无线电源七、可编程混合信号、ASIC 与 IP 产品1.ForgeFPGA 低密度 FPGA2.GreenPAKm 可编程混合信号产品3.Intellectual Property (IP)4.Mixed-signal ASICs八、RF产品1.汽车 毫米波 雷达传感器2.Industrial Radar Sensors3.调制器和解调器4.相位阵列波束形成器5.射频放大器6.RF 衰减器7.RF 混频器8.射频开关9.射频合成器10.晶体管阵列11.可变增益放大器(VGA)九、传感器产品1.环境传感器2.流量传感器3.lndustrial Radar Sensors4.Optical Sensors5.位置传感器6.传感器信号调节器7.车用传感器十、Space & Harsh Environment1.Rad Hard Hermetic Package Products2.Rad Hard Plastic Package Products3.Rad Tolerant Plastic Package Products4.MIL-STD-883 Products5.Harsh Environment Products十一、Wireless Connectivity1.Bluetooth® Low Energy2.Cellular loT Modules3.DECT4.NFC5.Sub-GHz/Wi-SUN 收发器6.Wi-Fi7.无线音频8.无线基带调制解调器(Rapidwave)行业领域： 汽车、通信和高性能计算、消费类电子、工业、医疗健康解决方案、基础设施及物联网、电力和能源、关键技术

丽隽（PIP）主要从事功率半导体器件和集成电路设计、芯片制造、封装测试和终端销售与服务等，公司的优势产品为特高压、超高压及大电流MOSFET，产品参数对标国际知名品牌，性能指标国内领先，在工业领域可完全实现进口替代。并与全球技术领先、历史悠久的半导体公司德律风根(TFSS)在技术上有紧密合作。品牌官网：http://www.pipsemi.com/ 主要产品：一、MOSFET类产品①MOS-Planar（特高压/超高压平面MOS）：高压、大电流系列MOSFET采用最先进的平面结构设计和更优的工艺制程，拥有更优的产品参数。②MOS-Trench：采用先进的制程工艺和结构设计，具有更低的内阻。更优异的抗干扰能力们更小栅电荷，开关速度快，可有效减少系统损耗，提高系统效率。③MOS-SGT：采用了先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构，拥有更低的内阻与超低的栅极电荷，还采用新型Clip封装工艺进一步提高系统的功率，密度与效率。④MOS-COOLMOS：具有耕地的导通电阻，极低的栅极电荷，优异的开关速度等优点。⑤MOS-DP：F501D 二、IGB产品三、碳化硅肖特基二极管三代半—SiC产品：SiC电压650V和1200V系列，使用SiC SBD和SiC MOSFET，可提高整流效率和简化电路，减小开关损耗和导通损耗，提升效率。三代半—GaN产品：GaN HEMT 650V 70mohm，采用DNF8*8封装产品优良的散热设计能有效降低系统散热成本。主要应用：新能源—储能/光伏逆变、新能源汽车—主驱逆变器/OBC、服务器—多相控制电源管理、PD快充—同步整流/反激电路。产品选型手册：丽隽产品-选型表

聚洵半导体科技（上海）有限公司（Gainsil Semiconductor Technology)是一家全球化的芯片设计高科技企业，专注高性能、高品质模拟和混合信号产品的研发设计和销售管理。公司目前拥有低噪声运放、零漂移运放、高速运放、低电压运放、纳安级运放、比较器、模拟开关、电压基准等产品线。公司核心团队均来自国内外顶尖半导体设计公司，拥有先进的技术及自主知识产权，具有独特的创新思维及运营模式，在半导体芯片研发工程、制造管理、市场销售管理渠道方面拥有非常丰富的经验。品牌官网：http://www.gainsil.com主要产品：一、运算放大器及比较器1. 低功耗运算放大器GS3XX 这一系列放大器专门为各种通用应用而设计，这一系列放大器具有 1MHz 的增益带宽积 , 电压转换速率达到0.6V/μs，在 5V 电源电压下的静态电流只有 40μA，并且放大器内部集成了抗 RF 干扰功能；它们具有轨到轨输入输出特性，输入电压可以低于地电压以及电源电压各 100mV；在 25 ℃的环境温度下，最大输入失调电压只有 3.5mV（GS8358的 channel 2 输入失调电压为正，且典型值为 +5mV；GS358B 两路输入失调电压都为正，最大值为﹢ 4mV），工作温度范围从 -40 ℃到 125 ℃。2. 高精度通用运算放大器 S321A/321YA/358A 这一系列放大器专门为各种高精度通用应用而设计，这一系列放大器具有 1MHz 的增益带宽积 ,电压转换速率达到 0.6V/μs，在 5V 电源电压下的静态电流只有 40μA，并且放大器内部集成了抗 RF 干扰功能；它们具有轨到轨输入输出特性，输入电压可以低于地电压以及电源电压各 100mV；在 25 ℃的环境温度下，最大输入失调电压只有0.4mV，工作温度范围从 -40 ℃到 125 ℃。 3. 低功耗运算放大器  GS852X/GS853X 这一系列放大器专门为各种通用应用而设计，这一系列放大器具有 150KHz/500KHz 的增益带宽积 ,电压转换速率达到 0.07V/μs/0.2V/μs，在 5V 电源电压下的静态电流只有 5.5μA/18uA，并且放大器内部集成了抗 RF 干扰功能；它们具有轨到轨输入输出特性，输入电压可以低于地电压以及电源电压各 100mV；在 25 ℃的环境温度下，最大输入失调电压只有 3.5mV，工作温度范围从 -40 ℃到 125 ℃。 4. 低压纳安级运算放大器  GS804X/814X 系列低压纳安级运放，可在 1.4V 至 5.5V 的工作范围内提供轨到轨输入和输出采用台积电领先的低噪声工艺及创新的电路结构，使得 GS804X 系列静态工作电流低至 600nA ， GS814X 系列静态工作电流低至 350nA，并且内置抗 RF 干扰功能。工作温度范围从 -40 ℃到 125 ℃ 。 5. 低压低功耗运算放大器 GS600X 这一系列放大器专门为低压各种低压通用应用而设计，这一系列放大器具有 1MHz 的增益带宽积 , 最低工作电压可达 1.8V，电压转换速率达到 0.8V/μs ，在 5V 电源电压下的静态电流只有 75μA，并且放大器内部集成了抗 RF 干扰功能；它们具有轨到轨输入输出特性，输入电压可以低于地电压以及电源电压各 100mV；在 25 ℃的环境温度下，最大输入失调电压只有 3.5mV，工作温度范围从 -40℃到 125 ℃ 。 6. 高压低噪声运算放大器  GS4558 由两个高性能运算放大器组成。该集成电路具有高增益、低等效输入噪声电压、高输入电阻、良好的通道分离、宽工作电压范围和内部频率补偿等特点。可在 ±18V 的最大供电电压下工作，也可单路供电 36V。  GS4580 是一款单片双低噪声运算放大器。它是专门为音频系统设计的，以改善音调控制 ; 它也可用于前置放大器，工业测量工具和应用，在增益和相位匹配通道是强制性的。该集成电路具有内部频率补偿、低噪声、低失调、高增益、高分辨率等特点带宽。GS4580 可在 ±18V 的双电源电压或 36V 的单电源电压下工作。 7. 低压低噪声运算放大器  GS86XX/872X 系列器件是一种低噪声、低电压运算放大器，适用于多种应用。 GS862X 系列具有 3MHz 单位增益带宽、1.66V/µs 压摆率， GS863X 系列具有 6MHz 单位增益带宽、4.2V/µs 压摆率，GS872X 系列具有 11MHz 单位增益带宽、9V/µs 压摆率，GS8626 具有 20MHz 单位增益带宽、16V/us 压摆率，以及良好的电压和电流噪声性能。  GS86XX/872X 能够在音频信号路径或电机控制应用等低电压和低噪声系统中提供优质性能。该器件可向重 负载提供轨到轨输出摆幅。输入共模电压范围包括接地，器件的最大输入失调电压为 3.5mV（推荐的温度范围围）。在低电源电压下，容性负载能力也很好。工作温度范围从 -40 ℃到 125 ℃ 。 8. 高速运算放大器 GS805X/GS809X 系列高速电压反馈 CMOS 运算放大器专为视频应用和其他需要宽带宽的应用而设计。这些器件具有单位增益稳定性，可以驱动大型输出电流。差分增益为 0.02%，而差分相位为 0.09°。GS805X 静态电流仅为每通道 2.8mA，GS809X 静态电流仅为每通道 4.2mA。  GS805X/GS809X 系列运算放大器针对低至 2.5V (±1.25V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的单电源或双电源供电运行进行了优化。共模输入范围超出电源供电范围。电源轨的输出摆幅在 100mV 以内，从而支持宽动态范围。工作温度范围从 -40 ℃到125 ℃ 。 9. 零飘移运算放大器  零漂移运算放大器采用台积电先进的 CMOS 工艺及全新的斩波电路结构设计，可提供极低的输入失调电压，同时随时间推移和温度变化输入失调电压接近于零的漂移，并且内置抗 RF 干扰功能。这些高精度、低静态电流微型放大器可提供高阻抗输入（共模范围超出电源轨电压 100mV）和轨至轨输出（摆幅低于电源轨电50mV 以内）。可以使用低至 1.8V(±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的单电源或双电源。  GS655X 系列高精度、零漂移运放可工作电压 1.8 V 至 5.5 V 的单电源驱动。采用台积电领先的工艺及全新的斩波结构，失调电压最大仅为 5μV，失调电压漂移最大为 0.03 μV/℃。具有轨到轨的输入和输出 , 同时具有很快的过载恢复能力及内置抗 RF 干扰功能。  GS833X 系列高精度、零漂移运放可工作电压 1.8 V 至 5.5 V 的单电源驱动。采用台积电领先的工艺及全新的斩波结构，失调电压最大仅为 10μV，失调电压漂移最大为 0.03 μV/℃。具有轨到轨的输入和输出 , 同时具有很快的过载恢复能力及内置抗 RF 干扰功能。  GS85XX 系列高精度、零漂移运放可工作电压 1.8 V 至 5.5 V 的单电源驱动。采用台积电领先的工艺及全新的斩波结构，失调电压最大仅为 30μV，失调电压漂移最大为 0.03 μV/℃。具有轨到轨的输入和输出 , 同时具有很快的过载恢复能力及内置抗 RF 干扰功能。 10. 高压通用运算放大器  LM3XX 这一系列放大器专门为各种高压通用应用而设计，工作电压为 3 到 28V，这一系列放大器具有1MHz 的增益带宽积 , 电压转换速率达到 0.2V /μ S，每通道静态电流为 120μA。  LM3XXH 这一系列放大器专门为各种高压通用应用而设计，工作电压为 3 到 36V，这一系列放大器具有 1MHz 的增益带宽积 , 电压转换速率达到 0.2V /μ S，每通道静态电流为 250μA。 11. 高压通用比较器  GS3XX 这一系列比较器专门为各种高压通用应用而设计，可以在单一电源的宽范围电压下工作。可以在压差为 2 至36V 的双电源下工作，每通道静态电流为 700μA。  GS331 由一个独立的精密电压比较器组成，其典型偏移电压为 1.0mV  GS393/393A 由两个独立的精密电压比较器组成，其典型偏移电压为 1.0mV  GS339/339A 由四个独立的，低失调电压的电压比较器组成，其典型失调电压为 2.0mV 12. 低压高速比较器  GS874X/GSV33X 系列是低功耗超高速比较器，具有内部迟滞，优化的系统供电范围：3V~5 V。具有高速响应、低功耗、失调电压小和轨对轨输入输出等特点。内部输入迟滞消除了由于内部输入噪声电压造成的输出切换，工作温度范围为 -40℃至 +85℃。  GS8740~GS8750 系列工作电压为 2.7 到 5.5V，最大输入失调电压为 5mV。其中，GS8743~GS8745 系列每通道静态电流为 1300μA，响应时间为 6ns；GS8746~GS8750 系列每通道静态电流为 22μA，响应时间为 91ns；GS8740~GS8742系列每通道静态电流为 155μA。 响应时间为 21ns。  GSV331~GSV332 系列工作电压为 1.8 到 5.5V，最大输入失调电压为 3mV，每通道静态电流为 46μA，响应时间为70ns。  GS8706X 系列比较器专门为各种带基准电压的低压通微功耗应用而设计，工作电压为 1.6 到 5.5V，集成 1.2V 参考电压，应用灵活 , 每通道静态电流为 2.4uA，响应时间0.9us； 13. 低压纳安级比较器  GS87XX/GS80XX 系列具有内部迟滞的超低功耗比较器，优化的系统供电范围： 3V~5V。具有高速响应、低功耗、失调电压小和轨对轨输入输出等特点。内部输入迟滞消除了由于内部输入噪声电压造成的输出切换。工作温度范围为 -40℃至 +85℃。最大输入失调电压 3mV。  GS8705/GS8707/GS8709/GS8711/GS8012 系列比较器专门为各种低压通微功耗应用而设计，工作电压为 1.4 到 5.5V。其中，GS8705/GS8707/GS8709/GS8012 系列每通道静态电流为 325nA。响应时间6us；GS8011 系列每通道静态电流为208nA。响应时间13us。  GS8021 系列比较器专门为各种带基准电压的低压通微功耗应用而设计，工作电压为 1.6 到 5.5V，集成 1.2V 参考电压，应用灵活。每通道静态电流为 390nA。响应时间13us。 二、模拟开关GS4157B、GS3005、GS3101、GS3221、GS3157、GS7227 三、电源管理类芯片GS431 应用范围：移动通讯网络，多媒体，工业自动控制，仪器仪表（血压计、血氧仪），液晶显示，汽车电子、可穿戴设备、物联网、PDA系统、便携式系统、电池供电系统、医疗设备、蓝牙耳机、移动电话、无绳电话、便携式系统、温度测量系统、正弦波失量控制器、变频器和无人飞机等众多领域。

江苏润石科技有限公司是一家专注于高性能、高品质模拟/混合信号集成电路研发和销售的高科技半导体设计公司。在深圳设立全球销售和技术服务中心，而在国内的北京、上海、天津、郑州、苏州、杭州、成都、武汉、合肥、青岛、中国台湾以及海外的韩国首尔、法国格勒诺布尔等地均有驻地人员就近提供全方位的服务。公司拥有较为成熟的国内外市场销售体系和健全完善的售前、售中、售后技术服务体系。品牌官网：https://www.run-ic.com/主要产品： 一、运算放大器和比较器 精密运算放大器 高速运算放大器 通用运算放大器 低噪声运算放大器 纳安功耗运算放大器 仪表放大器 微功耗比较器 高速比较器 二、模拟开关 特殊开关系列 三、线性稳压器 四、数据转换 模数转换器-ADC 五、逻辑&转换 电平转换器 逻辑 六、电压基准源芯片 并联电压基准源 串联电压基准源 七、电源类产品 负载开关 DC-DC 电压检测和复位 马达驱动应用范围：汽车电子、新能源、工业控制、信创-PC、消费电子、医疗电子、智能穿戴、安防监控设备选型指南：润石产品选型手册

兆易创新科技集团股份有限公司 (股票代码603986) 是全球领先的Fabless芯片供应商，公司成立于2005年4月，总部设于中国北京。公司的核心产品线为存储器（Flash、利基型DRAM）、32位通用型MCU、智能人机交互传感器、模拟产品及整体解决方案。公司产品以“高性能、低功耗”著称，技术实力备受行业认可。还在多个国家和地区均设有分支机构和办事处，营销网络遍布全球，为客户提供优质便捷的本地化支持服务。主要产品：一、FlashSPI NOR FlashSPI NAND FlashParallel NAND FlashMCUArm Cortex-M3Arm Cortex-M4Arm Cortex-M23Arm Cortex-M33Arm Cortex-M7RISC-V二、利基型DRAM利基型DDR3L利基型DDR4三、传感器触控指纹识别四、模拟产品专用电源管理 电机驱动锂电池管理高性能电源选型指南：产品选型手册下载应用范围：汽车/工业、物联网、网络通信、消费电子、PC及周边、移动设备=

霍尔效应——当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。 在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。霍尔效应的应用霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。 霍尔效应是磁电效应的一种，通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。1.霍尔开关霍尔开关传感器以其简单有效的原理，在众多领域中扮演着重要角色。当电流通过导体时，垂直方向的磁场会引起电子的偏转，从而在导体两侧产生电压差。这个现象被用来检测磁场的存在，实现开关功能。由于霍尔开关传感器输出为简单的1位数字信号，芯片结构相对简单，因此在成本效益方面具有优势。 2.线性霍尔传感器线性霍尔传感器是一类重要的磁场测量工具，能够精确测量磁场大小和方向，满足实时监测和控制的需求。与霍尔开关不同，线性霍尔传感器不仅可以检测磁场的存在，还能够实时捕捉磁场的细微变化。UGN350lT是一种目前较常用的三端型线性霍尔元件。它由稳压器、霍尔发生器和放大器组成。用UGN350lT可以十分方便地组成一台高斯计。其使用十分简单，先使B=0,记下表的示值VOH,再将探头端面贴在被测对象上，记下新的示值VOH1.ΔVOH=VOH1-VOH,如果ΔVOH>0,说明探头端面测得的是N极；反之为S极。UGN3501T的灵敏度为7V/T,由此即可测出相应的被测磁感应强度B.如果采用数字电压表（DVM），可得图1所示的线性高斯计。运放采用高精度运放CA3130.该电路的具体调零方式为：开启电源后，令B=0,调节W1使DVM的示值为零，然后用一块标准的钕铝硼磁钢（B=0.1T）贴在探头端面上，调节W2使DVM的示值为1V即可。本高斯计检测时示值如果为-200mV,则探头端面检测的是S极，磁场强度为0.02T.本高斯计也可用来测量交变的磁场，不过DVM应改为交流电压表。显然使用图1的电路可以很方便地扩展普通数字万用表的功能。3.电流传感器通过测量霍尔电压，可以间接测量电流的大小。电流传感器也称磁传感器，能检测感受到的信息，按一定规律变换成为符合一定标准需要的电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。这种基于霍尔效应的电流传感器具有高精度、高灵敏度等优点，被广泛应用于电力系统、工业自动化等领域。4.位置传感器霍尔效应还可以用于测量物体在磁场中的位置。例如，在电机中，可以通过测量子上的霍尔电压来判断转子的位置，从而实现电机的闭环控制。 5.2D/3D 线性霍尔传感器2D/3D霍尔传感器是一类具备测量多个方向上磁场分量能力的传感器。相较于单一方向的霍尔传感器，2D/3D霍尔传感器能够提供更加丰富和全面的磁场信息，使其在复杂应用场景中发挥关键作用。 当考虑霍尔传感器在各种应用中的使用，它的性能、功耗、尺寸、数据输出以及其他许多因素都至关重要。温度敏感性、磁场干扰、位置和方向依赖性等都是霍尔传感器在设计与应用中必须考虑的重要因素，这些传感器的技术特性和挑战在日常使用中都可能成为决策的关键点。